RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2566
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link