RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3249
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link