RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3614
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link