RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
50
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
50
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1976
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link