RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2660
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link