RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
98
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
98
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
1415
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link