RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3430
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link