RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
43
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
43
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2794
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link