RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
45
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2079
1654
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Mushkin 996902 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link