RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3372
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lenovo 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link