RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2227
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link