RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2213
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link