RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2325
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link