RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1768
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link