RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2868
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link