RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
71
Wokół strony -238% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3350
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link