RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
76
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
76
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1809
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link