RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2964
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link