RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3635
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link