RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3861
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link