RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3593
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link