RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3716
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link