RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3959
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link