RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2307
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link