RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
71
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
64
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2065
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link