RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
71
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2522
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link