RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2083
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link