RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
71
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1927
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link