RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3188
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6P1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link