RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2516
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link