RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1660
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link