Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    35 left arrow 44
    Wokół strony 20% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 8.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 5.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    35 left arrow 44
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.7 left arrow 8.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 5.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2312 left arrow 1660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania