RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2852
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link