RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
86
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
86
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
1658
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link