RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3434
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link