RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2524
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link