RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
51
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
51
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2356
2248
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link