RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2932
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link