RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
71
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
1866
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link