RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3692
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link