RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2945
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5402-030.A01LF 2GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link