RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
79
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
79
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1651
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link