RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3158
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link