RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3593
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link