RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2663
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link