RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2284
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link