RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2336
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link