PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 13.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.2 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 13.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 10.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2274 left arrow 2594
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania