RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
53
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2356
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link