RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
106
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,069.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
62
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
1808
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link