RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
3711
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link